ионная мишень

См. также в других словарях:

• ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ — (ионное внедрение, ионное легирование) введение примесных атомов в твёрдое тело бомбардировкой его поверхности ускореннымиионами. При ионной бомбардировке мишени наряду с процессами распыления поверхности, ионно ионной эмиссии, образования… …   Физическая энциклопедия

• Ионная эмиссия —         испускание положительных и отрицательных ионов поверхностью твёрдого тела или жидкости (эмиттер) в вакуум или газообразную среду. Ион, чтобы покинуть поверхность, должен обладать достаточно большой энергией для преодоления сил,… …   Большая советская энциклопедия

• ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ — (ионное легирование, ионная имплантация), введение посторонних атомов внутрь тв. тела бомбардировкой его поверхности ионами. Ср. глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ноны с энергиями ?и=10 100 кэВ проникают… …   Физическая энциклопедия

• Катодное распыление —         ионное распыление, разрушение отрицательного электрода (катода) в газовом разряде под действием ударов положительных ионов. В более широком смысле разрушение твёрдого вещества при его бомбардировке заряженными или нейтральными частицами.… …   Большая советская энциклопедия

• Вакуумно-дуговое нанесение покрытий — (катодно дуговое осаждение) это физический метод нанесения покрытий (тонких плёнок) в вакууме, путём конденсации на подложку (изделие, деталь) материала из плазменных потоков, генерируемых на катоде мишени в катодном пятне вакуумной дуги… …   Википедия

• Электроника —         наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования электромагнитной энергии, в основном для передачи, обработки… …   Большая советская энциклопедия

• ЛАЗЕРНАЯ ПЛАЗМА — плазма, возникающая при развитии ионизации газа под действием мощного сфокусированного лазерного излучения. Л. п., образующаяся при световом пробое (л а з е р н о й и с к р е) газов, при атм. давлении имеет темп ру =2•104К, т …   Физическая энциклопедия

• ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… …   Физическая энциклопедия